지식재산처 기술유출특별사법경찰과와 대전지방공소청 중대범죄기소2부는 피해기업의 반도체 검사 핵심기술을 해외 제조에 사용한 혐의로 전직 직원 3명을 기소했다고 밝혔다. A씨(45)는 부정경쟁방지법 위반과 산업기술보호법 위반 혐의로 구속 기소됐으며, B씨(40)와 C씨(40)는 불구속 기소됐다. 기술경찰이 해외 기술유출 피의자를 구속하고 공소청이 기소한 첫 사례다.
수사당국에 따르면 이들은 2023년 11월부터 2026년 2월까지 해외 유통기업 측과 공모해 제조기업을 세우고, 피해기업의 설계도면과 기술자료를 이용해 제품을 생산·공급한 혐의를 받는다. A씨 등은 피해기업 전직 임원인 D씨(58)의 제안을 받고 기존 연봉의 2배를 받는 조건으로 해외 제조기업에 이직한 것으로 조사됐다. 이들이 만든 시제품은 2025년 12월 해외에 공급된 것으로 파악됐다.
유출 대상은 웨이퍼 상태의 반도체 칩을 검사하는 프로브카드 기술이다. 피해기업은 해당 기술을 국산화하고 고대역폭 메모리(HBM) 검사 장비를 개발해 국내외 반도체 대기업에 공급해 왔다. 피해기업은 해외 시장을 상실할 경우 연간 400억원의 매출 손실이 발생할 수 있다고 추산했다.
국가정보원의 첩보를 받은 기술경찰은 2025년 7월 수사에 착수했다. 피의자들이 해외에 체류하는 상황에서 국내 공급망을 통한 설계·조달 정황을 확인했고, 2026년 7월 국내 설계기업을 압수수색해 관련 도면과 자료를 확보했다. 자료에서 피해기업의 회사명 등 출처가 삭제돼 있었지만, 기술경찰은 분석을 통해 피해기업 기술을 바탕으로 작성·변형된 자료라고 판단했다. 수사에는 2026년 6월 증원된 인력과 반도체 연구개발 경험이 있는 전문 수사관이 투입됐다.
해외 체류 중인 D씨에 대해서는 인터폴 적색수배가 요청됐다. 수사당국은 신병을 확보하면 수사를 이어갈 방침이다.
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