원자 치환으로 절연막 준금속 구현…초고성능 반도체 소자 기술 개발

  • 입력 2026.10.17 11:18
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기초과학연구원(IBS) 연구진이 선택적 원자 치환을 활용해 반도체 절연막에서 준금속을 구현하는 모듈형 트랜지스터 제작 기술을 개발했습니다.

이번 연구는 초미세·초저전력 반도체 개발을 위한 새로운 공정 인식체계, 즉 패러다임을 제시한 것으로 평가됩니다.

연구 결과는 사이언스지에 게재됐습니다.

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